Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5 80V

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

201,82 kr

(exkl. moms)

252,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 730 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 1020,182 kr201,82 kr
20 - 4019,174 kr191,74 kr
50 - 9018,368 kr183,68 kr
100 - 24017,562 kr175,62 kr
250 +16,352 kr163,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2496
Tillv. art.nr:
IPB049N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-263

Serie

OptiMOS 5 80V

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

49mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB049N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Optimized for synchronous rectification

Ideal for high switching frequency

Output capacitance reduction of up to 44%

RDS(on) reduction of up to 44%

Relaterade länkar