Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-5705
- Tillv. art.nr:
- IPB80P04P407ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
9 485,00 kr
(exkl. moms)
11 856,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 09 september 2026
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 9,485 kr | 9 485,00 kr |
| 2000 + | 9,011 kr | 9 011,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5705
- Tillv. art.nr:
- IPB80P04P407ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10mm | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Bredd | 9.25mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10mm | ||
Höjd 4.4mm | ||
Bredd 9.25mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™P P-kanaliga effekt-MOSFET:er
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
