Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 75 enheter)*

490,275 kr

(exkl. moms)

612,825 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 200 enhet(er) levereras från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
75 +6,537 kr490,28 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9102
Tillv. art.nr:
IPS60R800CEAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

800mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17.2nC

Maximal effektförlust Pd

74W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

6.22mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.4 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Easy to use/drive

Very high commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications

Relaterade länkar