Infineon N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-9103
- Tillv. art.nr:
- IPS60R800CEAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
163,30 kr
(exkl. moms)
204,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 225 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 6,532 kr | 163,30 kr |
| 125 - 225 | 5,089 kr | 127,23 kr |
| 250 - 600 | 4,767 kr | 119,18 kr |
| 625 - 1225 | 4,44 kr | 111,00 kr |
| 1250 + | 4,113 kr | 102,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9103
- Tillv. art.nr:
- IPS60R800CEAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 6.22mm | ||
Bredd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies. CoolMOS CE är en prisoptimerad plattform som gör det möjligt att rikta in sig på kostnadskänsliga tillämpningar på konsument- och belysningsmarknaderna genom att fortfarande uppfylla de högsta effektivitetsstandarderna. Den nya serien ger alla fördelar med en snabb kopplings-MOSFET utan att kompromissa med användarvänlighet och erbjuder det bästa kostnads- och prestandaförhållandet som finns tillgängligt på marknaden.
Lätt att använda/drivning
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Kvalificerad för standardkvalitetstillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V, 3 Ben, TO-251, 600V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS