Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4717
- Tillv. art.nr:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
58,58 kr
(exkl. moms)
73,22 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 2,929 kr | 58,58 kr |
| 100 - 180 | 2,419 kr | 48,38 kr |
| 200 - 480 | 2,358 kr | 47,16 kr |
| 500 - 980 | 2,296 kr | 45,92 kr |
| 1000 + | 2,24 kr | 44,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4717
- Tillv. art.nr:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 13W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 13W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 years pioneering super junction technology innovation.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 1.5 A 800 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 800 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 10 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 8.5 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 1.5 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
