Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 217-2577
- Tillv. art.nr:
- IPS60R3K4CEAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
146,40 kr
(exkl. moms)
183,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 850 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,928 kr | 146,40 kr |
| 100 - 200 | 2,196 kr | 109,80 kr |
| 250 - 450 | 2,05 kr | 102,50 kr |
| 500 - 1200 | 1,903 kr | 95,15 kr |
| 1250 + | 1,757 kr | 87,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2577
- Tillv. art.nr:
- IPS60R3K4CEAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.82mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.82mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superförbindelse ger den låga ledningsförluster och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen. 600 V, 650 V och 700 V CoolMOSTM CE kombinerar den optimala R DS(on) och huset som erbjuder lämpliga laddare med låg effekt för mobiltelefoner och surfplattor.
Smala marginaler mellan typisk och max R DS(on)
Minskad energi som lagras i utgångskapaciteten (E oss)
God kroppsdiodens robusthet och minskad omvänd återvinningsladdning (Q rr)
Optimerad integrerad R g
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V, 3 Ben, TO-251, 600V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS