Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

4 275,00 kr

(exkl. moms)

5 350,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +1,71 kr4 275,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9046
Tillv. art.nr:
IPD70R1K4P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Maximal effektförlust Pd

22.7W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Höjd

2.41mm

Bredd

6.22 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

It has Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Relaterade länkar