Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-9050
- Tillv. art.nr:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
6 155,00 kr
(exkl. moms)
7 695,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,462 kr | 6 155,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9050
- Tillv. art.nr:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 18W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 18W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons senaste 800 V CoolMOS P7-serie sätter en ny riktmärke inom 800 V superkopplingsteknik och kombinerar klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet, vilket är resultatet av Infineons mer än 18 års pionjärerande innovation inom superkopplingsteknik. De är lätta att driva och parallellkoppla, vilket möjliggör design med högre effekttäthet, BOM-besparingar och lägre monteringskostnader. Dessa rekommenderas för hårda och mjuka fly back-switchtopologier för LED-belysning, laddare och adaptrar med låg effekt, ljud, AUX-ström och industriell ström.
Det levereras med helt optimerad portfölj
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7