Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

221,58 kr

(exkl. moms)

276,975 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 220 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 1514,772 kr221,58 kr
30 - 6014,037 kr210,56 kr
75 - 13513,445 kr201,68 kr
150 - 36012,854 kr192,81 kr
375 +11,965 kr179,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4457
Tillv. art.nr:
IRFR3710ZTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Maximal effektförlust Pd

140W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

100nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

Its design is extremely efficient and reliable

Relaterade länkar