Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-4379
- Tillv. art.nr:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
152,55 kr
(exkl. moms)
190,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,051 kr | 152,55 kr |
| 100 - 200 | 2,229 kr | 111,45 kr |
| 250 - 450 | 2,106 kr | 105,30 kr |
| 500 - 1200 | 1,951 kr | 97,55 kr |
| 1250 + | 1,801 kr | 90,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4379
- Tillv. art.nr:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.83V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.65mm | |
| Höjd | 2.35mm | |
| Bredd | 6.42 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.83V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.65mm | ||
Höjd 2.35mm | ||
Bredd 6.42 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards.
It provides very high commutation ruggedness
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 2.2 A 500 V Förbättring TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 4.8 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 9 A 500 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 7.2 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 3.9 A 800 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 6.8 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal 14.1 A 550 V Förbättring TO-252, CoolMOS CE
