Infineon N Kanal, MOSFET, 14.1 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*

11 055,00 kr

(exkl. moms)

13 820,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 500 enhet(er) levereras från den 03 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25004,422 kr11 055,00 kr
5000 +4,311 kr10 777,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-5909
Tillv. art.nr:
IPD50R380CEAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

380mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

850mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal effektförlust Pd

98W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.73mm

Höjd

2.41mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.