Infineon N Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

3 305,00 kr

(exkl. moms)

4 130,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +1,322 kr3 305,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4378
Tillv. art.nr:
IPD50R2K0CEAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Maximal effektförlust Pd

33W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

830mV

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.42mm

Höjd

2.35mm

Längd

6.65mm

Fordonsstandard

Nej

Denna Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET är en prisoptimerad plattform som gör det möjligt att rikta kostnadskänsliga tillämpningar på konsument- och belysningsmarknader genom att fortfarande uppfylla högsta effektivitetsstandarder.

Det ger mycket hög kommutationshållbarhet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.