Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 218-3049
- Tillv. art.nr:
- IPD50R500CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
168,78 kr
(exkl. moms)
210,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 8,439 kr | 168,78 kr |
| 100 - 180 | 8,025 kr | 160,50 kr |
| 200 - 480 | 7,683 kr | 153,66 kr |
| 500 - 980 | 7,347 kr | 146,94 kr |
| 1000 + | 6,832 kr | 136,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3049
- Tillv. art.nr:
- IPD50R500CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 500mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.41mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOSTM CE-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies. Den här serien ger alla fördelar med en snabb switching Superjunction MOSFET utan att kompromissa med användarvänlighet och erbjuder det bästa kostnads- och prestandaförhållandet som finns tillgängligt på marknaden.
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
Blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE