Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

5 887,00 kr

(exkl. moms)

7 359,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 10005,887 kr5 887,00 kr
2000 +5,74 kr5 740,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4371
Tillv. art.nr:
IPB60R360P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

41W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.02mm

Bredd

9.27 mm

Höjd

4.5mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Relaterade länkar