Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 167,00 kr

(exkl. moms)

16 459,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +13,167 kr13 167,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4367
Tillv. art.nr:
IPB60R120P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

120mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal effektförlust Pd

95W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.02mm

Höjd

4.5mm

Bredd

9.27 mm

Fordonsstandard

Nej

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Relaterade länkar