Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V N, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-4357
- Tillv. art.nr:
- IPA80R450P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
124,54 kr
(exkl. moms)
155,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 630 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,454 kr | 124,54 kr |
| 50 - 90 | 11,838 kr | 118,38 kr |
| 100 - 240 | 11,334 kr | 113,34 kr |
| 250 - 490 | 10,842 kr | 108,42 kr |
| 500 + | 10,091 kr | 100,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4357
- Tillv. art.nr:
- IPA80R450P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 29W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 16.15 mm | |
| Längd | 10.68mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.85mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal effektförlust Pd 29W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 16.15 mm | ||
Längd 10.68mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.85mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 800V Cool MOS P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.
It has fully optimised portfolio
It has lower assembly cost
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 11 A 800 V N TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 11 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4.5 A 800 V TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 800 V TO-247, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-252, 800V CoolMOS P7
