Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V N, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 214-4350
- Tillv. art.nr:
- IPA041N04NGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
278,205 kr
(exkl. moms)
347,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 75 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 18,547 kr | 278,21 kr |
| 75 - 135 | 17,621 kr | 264,32 kr |
| 150 - 360 | 16,882 kr | 253,23 kr |
| 375 - 735 | 16,135 kr | 242,03 kr |
| 750 + | 15,023 kr | 225,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4350
- Tillv. art.nr:
- IPA041N04NGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 16.15 mm | |
| Höjd | 4.85mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.68mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 16.15 mm | ||
Höjd 4.85mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.68mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon OptiMOS 3 MOSFET features not only the industrys lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
It is Halogen-free according to IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 70 A 40 V N TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 70 A 40 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 70 A 30 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 70 A 120 V Förbättring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon OptiMOS T2 N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220 IPP70N04S406AKSA1
- Infineon OptiMOS T N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220 IPP70N10S3L12AKSA1
- Infineon Typ N Kanal 80 A 100 V N PG-TO-220, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal 50 A 150 V Förbättring TO-220, OptiMOS 3
