Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V N, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 214-4349
- Tillv. art.nr:
- IPA041N04NGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
502,00 kr
(exkl. moms)
627,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 10,04 kr | 502,00 kr |
| 100 - 200 | 7,833 kr | 391,65 kr |
| 250 - 450 | 7,531 kr | 376,55 kr |
| 500 - 950 | 7,128 kr | 356,40 kr |
| 1000 + | 6,326 kr | 316,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4349
- Tillv. art.nr:
- IPA041N04NGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.85mm | |
| Längd | 10.68mm | |
| Bredd | 16.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.85mm | ||
Längd 10.68mm | ||
Bredd 16.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon OptiMOS 3 MOSFET har inte bara branschens lägsta R DS(on) utan också ett perfekt omkopplingsbeteende för snabba omkopplingstillämpningar. 15 % lägre R DS(on) och 31 % lägre meritfaktor (R DS(on) x Q g) jämfört med alternativa enheter har uppnåtts av avancerad tunn waferteknik.
Den är halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V N, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon OptiMOS T2 N-Channel MOSFET, 70 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IPP70N04S406AKSA1
- Infineon OptiMOS T N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP70N10S3L12AKSA1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
