Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-4337
- Tillv. art.nr:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 200 enheter)*
191,00 kr
(exkl. moms)
238,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 74 600 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,955 kr | 191,00 kr |
| 400 - 800 | 0,907 kr | 181,40 kr |
| 1000 - 1800 | 0,869 kr | 173,80 kr |
| 2000 - 4800 | 0,831 kr | 166,20 kr |
| 5000 + | 0,669 kr | 133,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4337
- Tillv. art.nr:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.36W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Bredd | 1.4 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.36W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Bredd 1.4 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
This Infineon SIPMOS Small signal MOSFETis ideally suited for space-constrained automotive and/or non-automotive applications. They can be found in almost all applications e.g. battery protection, battery charging, LED lighting and so on.
It is Halogen-free according to IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 200 mA 60 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 230 mA 60 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 21 mA 600 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 330 mA 60 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 110 mA 240 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 170 mA 60 V Förbättring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 200 mA 60 V Förbättring SOT-23, SIPMOS
- Infineon Typ N Kanal 21 mA 600 V Avskrivningar SOT-23, SIPMOS AEC-Q101