Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 200 enheter)*

172,00 kr

(exkl. moms)

216,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
200 +0,86 kr172,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4333
Tillv. art.nr:
BSD214SNH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Kapseltyp

SOT-363

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

250mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.8nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.02mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Bredd

1.35 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor are Qualified according to AEC Q101.

N-channel

Enhancement mode

Super Logic level (2.5V rated)

Relaterade länkar