Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-4330
- Tillv. art.nr:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
150,53 kr
(exkl. moms)
188,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 220 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 25 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 15,053 kr | 150,53 kr |
| 20 - 40 | 14,314 kr | 143,14 kr |
| 50 - 90 | 13,698 kr | 136,98 kr |
| 100 - 240 | 13,093 kr | 130,93 kr |
| 250 + | 12,186 kr | 121,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4330
- Tillv. art.nr:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Längd | 5.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.2mm | ||
Längd 5.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon OptiMOS MOSFET offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
It is ideal for hot-swap and e-fuse applications
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 56 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 87 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 195 A 40 V SuperSO, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 49 A 80 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 24 A 250 V N SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 47 A 60 V Förbättring SuperSO, OptiMOS
