Vishay Type N-Channel MOSFET, 430 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR178DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

125,33 kr

(exkl. moms)

156,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4525,066 kr125,33 kr
50 - 12022,556 kr112,78 kr
125 - 24518,032 kr90,16 kr
250 - 49514,784 kr73,92 kr
500 +13,284 kr66,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4999
Tillv. art.nr:
SIR178DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.31mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Leadership RDS(ON) minimizes power loss from conduction

2.5 V ratings and operation at low voltage gate drive

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar