Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 42.6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5112DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

99,46 kr

(exkl. moms)

124,324 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 - 5624,865 kr99,46 kr
60 - 9623,155 kr92,62 kr
100 - 23620,525 kr82,10 kr
240 - 99620,16 kr80,64 kr
1000 +19,768 kr79,07 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9946
Tillv. art.nr:
SIR5112DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

42.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0149Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar