Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- RS-artikelnummer:
- 210-4975
- Tillv. art.nr:
- SiHB186N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
63,75 kr
(exkl. moms)
79,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 175 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 12,75 kr | 63,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-4975
- Tillv. art.nr:
- SiHB186N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 168mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 14.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 168mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.06mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 14.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has D2PAK (TO-263) package type.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 21 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, EF Series
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF