Vishay N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 002,00 kr

(exkl. moms)

2 502,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 450 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5040,04 kr2 002,00 kr
100 +38,038 kr1 901,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0893
Tillv. art.nr:
SIHG33N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

EF

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

98mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

278W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

103nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.31mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

20.82mm

Längd

15.87mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET med snabb diod, EF-serien, Vishay Semiconductor


Minskad omvänd återställningstid, omvänd återställningsladdning och omvänd återställningsström

Låg meritfaktor (FOM)

Låg ingångskapacitans (Ciss)

Ökad robusthet tack vare låg omvänd återställningsladdning

Ultralåg grindladdning (Qg)

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.