Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN
- RS-artikelnummer:
- 204-7259
- Tillv. art.nr:
- SISF06DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 204-7259
- Tillv. art.nr:
- SISF06DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 101A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0045Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 69.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Höjd | 730μm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 101A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSF06DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0045Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 69.4W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Höjd 730μm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET är en integrerad MOSFET med gemensam drain i en kompakt och termiskt förbättrad kapsel.
Mycket låg käll-till-källmotstånd
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN
- Vishay 2 N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 13.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET