Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

43 191,00 kr

(exkl. moms)

53 988,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +14,397 kr43 191,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7257
Tillv. art.nr:
SIDR680ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiDR680ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.51mm

Length

5.9mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar