Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

34 635,00 kr

(exkl. moms)

43 293,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +11,545 kr34 635,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
134-9161
Tillv. art.nr:
SIR680DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar