Vishay SiDR220DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR220DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

399,06 kr

(exkl. moms)

498,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 1039,906 kr399,06 kr
20 - 4032,334 kr323,34 kr
50 - 9029,949 kr299,49 kr
100 - 24027,944 kr279,44 kr
250 +26,746 kr267,46 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7232
Tillv. art.nr:
SIDR220DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SO-8

Series

SiDR220DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

200nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar