Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

43,63 kr

(exkl. moms)

54,538 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 990 enhet(er) från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +21,815 kr43,63 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9727
Tillv. art.nr:
SIR680DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

69.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Längd

6.25mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar