Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR680DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

43,63 kr

(exkl. moms)

54,538 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 990 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +21,815 kr43,63 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9727
Tillv. art.nr:
SIR680DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar