onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 450 enheter)*

21 046,95 kr

(exkl. moms)

26 308,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
450 +46,771 kr21 046,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
202-5706
Tillv. art.nr:
NTHL160N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

119W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.87mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4.82 mm

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

160mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

relaterade länkar