onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- RS-artikelnummer:
- 202-5701
- Tillv. art.nr:
- NTH4L080N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
142,82 kr
(exkl. moms)
178,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 444 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 71,41 kr | 142,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5701
- Tillv. art.nr:
- NTH4L080N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 22.74mm | |
| Längd | 15.2mm | |
| Bredd | 5.2 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 22.74mm | ||
Längd 15.2mm | ||
Bredd 5.2 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, Boost inverter, Industrial Motor Drive, PV Charger.
110mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant