onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- RS-artikelnummer:
- 202-5707
- Tillv. art.nr:
- NTHL160N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
141,57 kr
(exkl. moms)
176,962 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 310 enhet(er) levereras från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 70,785 kr | 141,57 kr |
| 20 - 198 | 61,04 kr | 122,08 kr |
| 200 + | 52,865 kr | 105,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5707
- Tillv. art.nr:
- NTHL160N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 119W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4.82 mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 119W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4.82 mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Höjd 20.82mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.
160mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant