onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 84 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
202-5696
Tillv. art.nr:
NTH4L020N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

84A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NTH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

510W

Forward Voltage Vf

3.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

220nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

15.2mm

Standards/Approvals

No

Width

5.2 mm

Length

18.62mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 102 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.

20mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

relaterade länkar