SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 onsemi NTH4L080N120SC1

RS-artikelnummer:: 202-5700
Tillv. art.nr:: NTH4L080N120SC1
Tillverkare / varumärke:: onsemi

SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 onsemi NTH4L080N120SC1

Pris (ex. moms) Var (i ett rör med 450)

56,554 kr

(exkl. moms)

70,692 kr

(inkl. moms)

448 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per Tube**
450 +	56,554 kr	25 449,30 kr

RS-artikelnummer:: 202-5700
Tillv. art.nr:: NTH4L080N120SC1
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet - NTH4L080N120SC1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Series	NTH
Package Type	TO-247-4
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	0.11 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4.3V
Transistor Material	SiC
Number of Elements per Chip	1

SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 onsemi NTH4L080N120SC1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L