onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
202-5700
Tillv. art.nr:
NTH4L080N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.2mm

Width

5.2 mm

Height

22.74mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, Boost inverter, Industrial Motor Drive, PV Charger.

110mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

relaterade länkar