STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

167,55 kr

(exkl. moms)

209,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4167,55 kr
5 - 9163,18 kr
10 +159,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5488
Tillv. art.nr:
SCTW35N65G2VAG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCT

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.055Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Maximal effektförlust Pd

240W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Framåtriktad spänning Vf

3.3V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Höjd

34.95mm

Längd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar