STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

10 274,10 kr

(exkl. moms)

12 842,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +342,47 kr10 274,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
202-5478
Tillv. art.nr:
SCT50N120
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCT

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.59Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

122nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

318W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Framåtriktad spänning Vf

3.5V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

34.95mm

Bredd

5.15 mm

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar