Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

27 159,00 kr

(exkl. moms)

33 948,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +9,053 kr27 159,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4891
Tillv. art.nr:
SiSF20DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Common Drain

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

3.4 mm

Length

3.4mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

relaterade länkar