Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

303,625 kr

(exkl. moms)

379,525 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 10012,145 kr303,63 kr
125 - 2259,713 kr242,83 kr
250 - 6008,498 kr212,45 kr
625 - 12257,284 kr182,10 kr
1250 +6,917 kr172,93 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6855
Tillv. art.nr:
SiSS22LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

92.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

3.3mm

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 is a N-channel 60V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar