Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 200-6855
- Tillv. art.nr:
- SiSS22LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
303,625 kr
(exkl. moms)
379,525 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 12,145 kr | 303,63 kr |
| 125 - 225 | 9,713 kr | 242,83 kr |
| 250 - 600 | 8,498 kr | 212,45 kr |
| 625 - 1225 | 7,284 kr | 182,10 kr |
| 1250 + | 6,917 kr | 172,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6855
- Tillv. art.nr:
- SiSS22LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 92.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3 mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 92.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3 mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 is a N-channel 60V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested