Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

104,94 kr

(exkl. moms)

131,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,494 kr104,94 kr
100 - 2409,968 kr99,68 kr
250 - 4908,086 kr80,86 kr
500 - 9906,306 kr63,06 kr
1000 +5,891 kr58,91 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-7743
Tillv. art.nr:
SIS476DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0035Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.61mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Height

1.12mm

Width

3.61 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIS476DN is a N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 30V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.0025ohms at 10VGS and 0.0035ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 40A.

Trench FET gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar