Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3

Antal (1 längd med 20 enheter)*

142,02 kr

(exkl. moms)

177,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 880 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per Längd*
20 +7,101 kr142,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1304
Tillv. art.nr:
SIS415DNT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

TrenchFET Gen III

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.4mm

Height

0.8mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar