Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
180-7275
Tillv. art.nr:
SI2392ADS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

189mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.9nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.64 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 126mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. It has continuous drain current of 3.1A and maximum power dissipation of 2.5W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Boost converters

• DC/DC converters

• LED backlighting in LCD TVs

• Load switch

• Power management for mobile computing

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Relaterade länkar