Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

87,92 kr

(exkl. moms)

109,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4517,584 kr87,92 kr
50 - 9514,65 kr73,25 kr
100 - 49511,38 kr56,90 kr
500 - 9959,968 kr49,84 kr
1000 +8,96 kr44,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3875
Tillv. art.nr:
Si7190ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

relaterade länkar