Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

141,21 kr

(exkl. moms)

176,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 820 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4528,242 kr141,21 kr
50 - 9525,334 kr126,67 kr
100 - 49524,006 kr120,03 kr
500 - 99522,566 kr112,83 kr
1000 +19,742 kr98,71 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3934
Tillv. art.nr:
SiDR392DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

900μΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

125nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6 V

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.99mm

Bredd

5 mm

Höjd

1.07mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Relaterade länkar