Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

176,51 kr

(exkl. moms)

220,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 820 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4535,302 kr176,51 kr
50 - 9531,674 kr158,37 kr
100 - 49529,994 kr149,97 kr
500 - 99528,202 kr141,01 kr
1000 +24,684 kr123,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3934
Tillv. art.nr:
SiDR392DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

900μΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

relaterade länkar