Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS-artikelnummer:
- 173-2857
- Tillv. art.nr:
- TK12P60W,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
33 682,00 kr
(exkl. moms)
42 102,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 16,841 kr | 33 682,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 173-2857
- Tillv. art.nr:
- TK12P60W,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | DTMOSIV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series DTMOSIV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1X(S
