Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- RS-artikelnummer:
- 133-2804
- Tillv. art.nr:
- TK8P60W5,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Tillfälligt slut
- RS-artikelnummer:
- 133-2804
- Tillv. art.nr:
- TK8P60W5,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 560mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 80W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie DTMOSIV | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 560mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 80W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP