Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- RS-artikelnummer:
- 827-6126
- Tillv. art.nr:
- TK12P60W,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Antal (1 förpackning med 4 enheter)*
84,58 kr
(exkl. moms)
105,724 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 552 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 + | 21,145 kr | 84,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6126
- Tillv. art.nr:
- TK12P60W,RVQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 340mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 340mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal 11.5 A 600 V Förbättring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal 8 A 600 V Förbättring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal 5.8 A 650 V Förbättring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal 11.1 A 650 V Förbättring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal 6.8 A 650 V Förbättring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal 5.4 A 600 V Förbättring TO-252, TK
- Toshiba Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring TO-247, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal 31 A 600 V Förbättring TO-3PN, DTMOSIV