Toshiba Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK8S06K3L

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

103,38 kr

(exkl. moms)

129,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 1 360 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,338 kr103,38 kr
50 - 908,859 kr88,59 kr
100 - 9907,739 kr77,39 kr
1000 +6,877 kr68,77 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2501
Tillv. art.nr:
TK8S06K3L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

25W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

7 mm

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
JP
Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

relaterade länkar