Toshiba Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

77,50 kr

(exkl. moms)

96,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 55 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 1 385 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +15,50 kr77,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2485
Tillv. art.nr:
TJ60S04M3L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Width

7 mm

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (Country of Origin):
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

relaterade länkar