Toshiba Type P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ8S06M3L

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

108,64 kr

(exkl. moms)

135,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 140 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,864 kr108,64 kr
50 - 909,856 kr98,56 kr
100 - 9907,582 kr75,82 kr
1000 +4,682 kr46,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2492
Tillv. art.nr:
TJ8S06M3L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

27W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.3mm

Length

6.5mm

Width

7 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (Country of Origin):
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

relaterade länkar